En plena crisis de la RAM, Intel contraataca con ZAM. Es el chip para romper la hegemonía surcoreana

Pocos habrían adivinado hace no tantos años la transformación de Intel. La empresa que dominara durante generaciones los procesadores de consumo y servidores ha pasado un auténtico calvario por el desierto bajo el dominio de AMD. Sin embargo, han vuelto por sus fueros y no sólo -rescate mediante- se han posicionado para ser la gran fundición estadounidense, sino que buscan pegar un mordisco a la gigantesca industria surcoreana de memoria RAM gracias a su nueva memoria: la memoria ZAM. Y su arma es la tridimensionalidad. Z de ‘zolución’. ¿Recuerdas cuando, en clase de matemáticas, dibujaste el primer cubo? El eje X es este-oeste. El eje Y es norte-sur. Lo que necesitaba el cuadrado para convertirse en un cubo es el eje Z, el de arriba y abajo. Eso es lo que los ingenieros de SAIMEMORY, la empresa resultante de la colaboración entre la japonesa SoftBank e Intel, han aplicado a la memoria DRAM tradicional con un único objetivo: asaltar el enorme mercado de la memoria de alto ancho de banda, o HBM, que domina los centros de datos. En Xataka Los fabricantes de RAM se han cansado de que las tecnológicas compren "por si acaso". Así que se han puesto serias Hojaldre. Hace unos meses te contamos que las dos empresas habían emprendido un camino conjunto para plantar cara al dominio de Samsung, SK Hynix y Micron en la creación de memoria de alto rendimiento. La memoria HBM es la preferida para los centros de datos debido a que cuenta con un ancho de banda bestial que permite un mayor número de operaciones simultáneas. Es como una autopista enorme. Sin embargo, tiene limitaciones: es cara de producir, necesita mucha energía y se calienta tanto como para necesitar costosos sistemas de disipación. La memoria DRAM convencional no era una alternativa, pero Intel y SoftBank empezaron a ‘trastear’ con la memoria DRAM apilada. Es como un hojaldre de memoria RAM (simplificando mucho las cosas), cuya limitación principal llegaba a la hora de conectar cada una de esas delgadas capas de memoria para que el producto final tuviese las mismas capacidades que esa autovía que es la memoria HBM. ZAM. Tras unos meses de investigación, hace unos días en el Intel Connection de Japón, SAIMEMORY e Intel presentaron el prototipo de ZAM. Según las compañías, un módulo de ZAM puede contar con una capacidad de hasta 512 GB, es fácil de producir debido a que consiste en diseñar chips apilados verticalmente y lo más importante: puede reducir el consumo de energía entre un 40% y un 50% respecto a los HBM convencionales. Si los HBM son caros y tardan en producirse, los ZAM son más baratos, pueden ser la solución para aliviar las restricciones en la cadena de suministro y, además, bajarían el consumo de energía de los centros de datos (que es uno de los problemas que tienen), siendo además más fáciles de enfriar. De momento, la investigación de la compañía apunta a un límite teórico de 20 capas, pero los diseños actuales se mueven alrededor de las 16 capas, por lo que las prestaciones pueden ser mejores si se logra superar esa limitación actual. En Xataka La situación con los precios de la RAM es tan desesperante que ya hay quienes se construyen su propia memoria en casa Alternativa real. La ambición de Intel es total, ya que apuntan que su tecnología de unión de módulos DRAM permite ofrecer de dos a tres veces la capacidad de los módulos HBM a la vez que es hasta un 60% más económico de producir.  Todo parece una ventaja y no parece una mala tecnología cuando gigantes consolidados en la creación de memoria HBM como Samsung también están investigando cómo superar las limitaciones de las conexiones en la memoria DRAM apilada. El prototipo | Foto de PCWatch Ambición. Y, casi tan importante como la presentación del prototipo de ZAM, es la propia alianza. Intel lleva muchos años lejos del mercado de la memoria. Lo intentó en los 80 y, de nuevo, años más tarde con su tecnología Optane -que murió estrepitosamente sin hacerse el más mínimo hueco en el mercado-. Por otra parte, SoftBank representa a un Japón que tuvo la delantera en este sector en los 80, pero que se vio eclipsado por las compañías emergentes surcoreanas. De hecho, a las memorias de Intel se la comieron las japonesas... y a las japonesas las surcoreanas. SAIMEMORY tiene detrás no sólo a esos tiburones, sino a otras empresas japonesas como Fujitsu, Shinko Electric Industries, PowerChip Semiconductor Manufacturing o la Universidad de Tokio. Y si la memoria ZAM funciona a nivel comercial, no sólo será una buena noticia para aliviar las cadenas de producción de memoria (quizá así se alivie también el mercado doméstico totalmente destruido por las necesidades de los centros de datos), sino que marcará el nacimiento de un nuevo y ambicioso jugador que busca romper la hegemonía del tridente que lidera en estos momentos. Lo veremos, eso sí, en unos años, ya que SAIMEMORY planea terminar los prototipos en el año fiscal 2027 y empezar la comercialización en 2029. Imagen | Samsung, Maxence Pira En Xataka | El CEO de Nothing tiene claro que no necesitamos un móvil de gama alta cada año. Una mezcla de crisis de RAM y sentido común - La noticia En plena crisis de la RAM, Intel contraataca con ZAM. Es el chip para romper la hegemonía surcoreana fue publicada originalmente en Xataka por Alejandro Alcolea .